Press-Pack IGBT
Pakiet prasowy IGBT (IEGT)
| TYP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / uF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Notatka:D- z Dczęść jodowa, A-bez części diodowej
Tradycyjnie moduły IGBT ze stykami lutowanymi były stosowane w rozdzielnicach elastycznego systemu przesyłowego prądu stałego.Pakiet modułów to jednostronne rozpraszanie ciepła.Moc urządzenia jest ograniczona i nie nadaje się do łączenia szeregowego, słaba żywotność w słonym powietrzu, słaba odporność na wibracje lub zmęczenie cieplne.
Nowe urządzenie Press-Pack o dużej mocy IGBT typu press-pack nie tylko całkowicie rozwiązuje problemy wakatów w procesie lutowania, zmęczenia cieplnego materiału lutowniczego i niskiej wydajności jednostronnego rozpraszania ciepła, ale także eliminuje opór cieplny między różnymi komponentami, zminimalizować rozmiar i wagę.I znacznie popraw wydajność pracy i niezawodność urządzenia IGBT.Jest całkiem odpowiedni, aby spełnić wymagania dotyczące dużej mocy, wysokiego napięcia i wysokiej niezawodności elastycznego systemu transmisji prądu stałego.
Zastąpienie typu styku lutowanego przez IGBT typu press-pack jest koniecznością.
Od 2010 r. firma Runau Electronics rozwijała się w celu opracowania nowego typu urządzenia IGBT typu press-pack i w 2013 r. wdrożyła produkcję. Wydajność została potwierdzona kwalifikacją krajową, a przełomowe osiągnięcie zostało zakończone.
Teraz możemy produkować i dostarczać seryjne prasy IGBT w zakresie IC w zakresie od 600 A do 3000 A oraz w zakresie VCES w zakresie od 1700 V do 6500 V.Wspaniała perspektywa technologii IGBT wyprodukowanej w Chinach do zastosowania w elastycznym systemie transmisji prądu stałego w Chinach jest bardzo oczekiwana i stanie się kolejnym światowej klasy kamieniem milowym chińskiego przemysłu energoelektroniki po szybkim pociągu elektrycznym.
Krótkie wprowadzenie do trybu typowego:
1. Tryb: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Charakterystyki elektryczne po zapakowaniu i sprasowaniu
● Odwróćrównoległypołączonydioda szybkiego powrotu do zdrowiazawarta
● Parametr:
Wartość znamionowa (25 ℃)
A.Napięcie emitera kolektora: VGES = 1700 (V)
B.Napięcie emitera bramki: VCES = ± 20 （V）
C.Prąd kolektora: IC=800（A）ICP=1600（A）
D.Rozpraszanie mocy kolektora: PC=4440（W）
mi.Temperatura złącza roboczego: Tj=－20~125℃
F.Temperatura przechowywania: Tstg=－40~125℃
Uwaga: urządzenie zostanie uszkodzone, jeśli przekroczy wartość znamionową
ElektrycznyCcharakterystyka, TC＝125℃，Rth (odporność termicznaskrzyżowanie dosprawa）nie wliczone
A.Prąd upływu bramki: IGES = ± 5 (μA)
B.Prąd blokujący kolektor-emiter ICES=250（mA）
C.Napięcie nasycenia kolektora-emitera: VCE(sat)=6(V)
D.Napięcie progowe emitera bramki: VGE(th)=10(V)
mi.Czas włączenia: Ton=2,5μs
F.Czas wyłączenia: Toff=3μs
2. Tryb: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Charakterystyki elektryczne po zapakowaniu i sprasowaniu
● Odwróćrównoległypołączonydioda szybkiego powrotu do zdrowiazawarta
● Parametr:
Wartość znamionowa (25 ℃)
A.Napięcie emitera kolektora: VGES = 2500 (V)
B.Napięcie emitera bramki: VCES = ± 20 （V）
C.Prąd kolektora: IC=600（A）ICP=2000（A）
D.Rozpraszanie mocy kolektora: PC = 4800 （W）
mi.Temperatura złącza roboczego: Tj=－40~125℃
F.Temperatura przechowywania: Tstg=－40~125℃
Uwaga: urządzenie zostanie uszkodzone, jeśli przekroczy wartość znamionową
ElektrycznyCcharakterystyka, TC＝125℃，Rth (odporność termicznaskrzyżowanie dosprawa）nie wliczone
A.Prąd upływu bramki: IGES = ± 15 (μA)
B.Prąd blokujący emiter kolektora ICES=25（mA）
C.Napięcie nasycenia kolektora-emitera: VCE(sat)=3,2 (V)
D.Napięcie progowe emitera bramki: VGE(th)=6,3(V)
mi.Czas włączenia: Ton=3,2μs
F.Czas wyłączenia: Toff=9,8μs
G.Dioda Napięcie przewodzenia: VF=3,2 V
H.Czas powrotu diody do tyłu: Trr=1,0 μs
3. Tryb: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Charakterystyki elektryczne po zapakowaniu i sprasowaniu
● Odwróćrównoległypołączonydioda szybkiego powrotu do zdrowiazawarta
● Parametr:
Wartość znamionowa (25 ℃)
A.Napięcie emitera kolektora: VGES = 4500 (V)
B.Napięcie emitera bramki: VCES = ± 20 （V）
C.Prąd kolektora: IC=600（A）ICP=2000（A）
D.Rozpraszanie mocy kolektora: PC = 7700 （W）
mi.Temperatura złącza roboczego: Tj=－40~125℃
F.Temperatura przechowywania: Tstg=－40~125℃
Uwaga: urządzenie zostanie uszkodzone, jeśli przekroczy wartość znamionową
ElektrycznyCcharakterystyka, TC＝125℃，Rth (odporność termicznaskrzyżowanie dosprawa）nie wliczone
A.Prąd upływu bramki: IGES = ± 15 (μA)
B.Prąd blokujący emiter kolektora ICES=50（mA）
C.Napięcie nasycenia kolektora-emitera: VCE(sat)=3,9 (V)
D.Napięcie progowe emitera bramki: VGE(th)=5,2 (V)
mi.Czas włączenia: Ton=5,5 μs
F.Czas wyłączenia: Toff=5,5μs
G.Dioda Napięcie przewodzenia: VF=3,8 V
H.Czas powrotu diody do tyłu: Trr=2,0 μs
Notatka:Press-pack IGBT ma przewagę w długoterminowej wysokiej niezawodności mechanicznej, wysokiej odporności na uszkodzenia i charakterystyce struktury łączenia zaprasowywanego, jest wygodny do zastosowania w urządzeniu szeregowym, aw porównaniu z tradycyjnym tyrystorem GTO, IGBT jest metodą napędu napięciowego .Dlatego jest łatwy w obsłudze, bezpieczny i ma szeroki zakres działania.