Tyrystor szybkiego przełączania

Opis:

Tyrystor szybkiego przełączania, o tej samej strukturze i symbolu tyrystora sterującego fazą, podczas gdy lepsze właściwości statyczne, szczególnie dynamiczne, są wymagane przez zastosowanie wysokiej częstotliwości obwodu prostowania, przerywania, falownika i konwersji częstotliwości.Dynamiczne parametry szybkiego tyrystora to duża prędkość włączania i prędkość rozszerzania, mniejszy ładunek wsteczny i krótki czas wyłączania, wysoka krytyczna szybkość narastania prądu w stanie włączenia (di/dt) i krytyczna szybkość wzrost napięcia w stanie wyłączonym (dv/dt).Prąd znamionowy szybkiego tyrystora w zakresie częstotliwości znamionowej nie zmniejsza się lub zmniejsza się nieznacznie wraz ze wzrostem częstotliwości.

Standard produkcji tyrystorów szybkiego przełączania i technologia przetwarzania RUNAU Electronics została wprowadzona z USA od lat 80. XX wieku, jako pionier produkcji tyrystorów w Chinach, zespół techniczny RUNAU zdobył najnowocześniejszą wiedzę i duże doświadczenie w produkcji przez ponad 30 lat.Opierając się na tradycyjnym procesie produkcyjnym, utalentowani technicy RUNAU Electronics opracowali najnowocześniejszą technologię produkcji tyrystorów z zaletami produktów europejskich, jakość i wydajność znacznie się poprawiły, osiągnięto więcej dużych zwycięstw w aplikacjach energoelektronicznych, i stworzono większą wartość dla partnerów.

Wstęp:

1. Chip

Chip tyrystorowy produkowany przez firmę RUNAU Electronics wykorzystuje technologię spiekania stopów.Płytka krzemowo-molibdenowa została spiekana w celu stopienia z czystym aluminium (99,999%) w warunkach wysokiej próżni i wysokiej temperatury.Podawanie charakterystyki spiekania jest kluczowym czynnikiem wpływającym na jakość tyrystora.Know-how RUNAU Electronics oprócz zarządzania głębokością złącza stopu, płaskością powierzchni, wnęką stopu, a także pełną umiejętnością dyfuzji, wzorem okręgu pierścienia, specjalną strukturą bramki.Zastosowano również specjalną obróbkę, aby skrócić żywotność nośnej urządzenia, dzięki czemu prędkość wewnętrznej rekombinacji nośnej jest znacznie przyspieszona, ładunek wstecznego odzyskiwania urządzenia jest zmniejszony, aw konsekwencji prędkość przełączania jest poprawiona.Pomiary te zastosowano w celu optymalizacji charakterystyki szybkiego przełączania, charakterystyki stanu włączenia oraz właściwości prądu udarowego.Działanie i przewodnictwo tyrystora jest niezawodne i wydajne.

2. Hermetyzacja

Dzięki ścisłej kontroli płaskości i równoległości płytki molibdenowej i opakowania zewnętrznego, chip i płytka molibdenowa zostaną ściśle i całkowicie zintegrowane z opakowaniem zewnętrznym.Takie rozwiązanie zoptymalizuje odporność na prąd udarowy i wysoki prąd zwarciowy.Zastosowano pomiar technologii odparowywania elektronów, aby utworzyć grubą warstwę aluminium na powierzchni płytki krzemowej, a warstwa rutenu pokryta powierzchnią molibdenu znacznie zwiększy odporność na zmęczenie cieplne, a czas pracy tyrystora szybkiego przełączania znacznie się wydłuży.

Specyfikacja techniczna

1. Tyrystor szybkiego przełączania z chipem typu stopowego wyprodukowany przez RUNAU Electronics, zakres I_TAWod 200A do 4000A i V_DRM/V_RRMod 1200V do 4500V.
2. I_GT, W_GTi ja_Hsą wartościami testowymi przy 25 ℃, o ile nie podano inaczej, wszystkie inne parametry są wartościami testowymi w T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= szerokość podstawy prądu półfalowego sinusoidalnego.Przy 50 Hz I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Przy 60 Hz: I_FSM(8,3ms)=I_FSM(10ms)×1,066,T_j=T_j;I²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametr: