Opis:
1. IGT, WGTi jaHsą wartościami testowymi przy 25℃, uo ile nie zaznaczono inaczej, wszystkie inne parametry są wartościami testowymi pod Tjm;
2.I2t=I2FSM×tw/2, tw= szerokość podstawy prądu półfalowego sinusoidalnego.Przy 50 Hz I2t=0,005I2FSM(A2S);
3. Przy 60 Hz: IFSM(8,3ms)=IFSM(10ms)×1,066,Tj=Tj;I2t(8,3ms)=I2t(10ms)×0,943,Tj=Tjm.
Parametr:
TYP | IT(AV) A | TC ℃ | VDRM/VRRM V | ITSM @TVJIM&10ms A | I2t A2s | VTM @IT&TJ=25℃ V / A | tq μs | Tjm ℃ | Rjc ℃/W | Rcs ℃/W | F KN | m Kg | KOD | |
Napięcie do 1200V | ||||||||||||||
KA200-** | 200 | 55 | 800~1200 | 2800 | 3,9x104 | 3.20 | 640 | 15 | 125 | 0,060 | 0,010 | 10 | 0,08 | T2A |
KA500-** | 500 | 55 | 800~1200 | 7500 | 2,8x105 | 3.20 | 1570 | 15 | 125 | 0,039 | 0,008 | 15 | 0,26 | T5C |
KA1000-** | 1000 | 55 | 800~1200 | 15000 | 1,1x106 | 3.20 | 3000 | 15 | 125 | 0,022 | 0,005 | 25 | 0,46 | T8C |